《表1 车俩荷载参数：半导体工艺中二氧化硅的刻蚀速率研究》

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《半导体工艺中二氧化硅的刻蚀速率研究》

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刻蚀涉及一系列物理及化学方法的应用：物理方式通过正离子高速轰击表面的溅射刻蚀；化学方式通过等离子体产生的反应物与表面相互作用产生挥发性产物。将二者结合的反应离子刻蚀常用的刻蚀气体为含卤素的物质，如CF4、Si F6、Cl2、HBr等，再加入添加气体如：O2，H2，Ar等。常用刻蚀气体可归纳为表1。