《表1 器件基本参数：利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管》
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实验首先对比了有无刻蚀工艺的两个器件性能的差异，而后通过改变刻蚀时间及退火制备了一系列器件以研究截止波长，N-区厚度和刻蚀区大小对APD性能的影响.表1是器件制备的基本参数.
| 图表编号 | XD0034303800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.04.01 |
| 作者 | 李浩、林春、周松敏、王溪、孙权志 |
| 绘制单位 | 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院大学、中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
