《表1 样品Ti/Al/Ti干法刻蚀工艺的制备条件》

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《Ti/Al/Ti干法刻蚀工艺中BCl_3气体作用研究》

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实验采用京东方鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司的5.5代线制备LTPS阵列样品，其中Ti/Al/Ti干法刻蚀工艺采用ICP（Inductively Coupled Plasma）干法刻蚀机进行制备，玻璃基板采用的是1 300 mm×1 500 mm，样品1#、2#、3#、4#的Ti/Al/Ti下膜层衬底为无机膜。进行Ti/Al/Ti干法刻蚀工艺，保持源功率、偏压功率、压力、温度、时间、Cl2流量一样的前提下，通过改变BCl3气体的流量，确认对PR胶的刻蚀速率以及Ti/Al/Ti侧面形态的影响，具体工艺条件见表1。