《表1 Ti/Al/Ti干法刻蚀样品的制备条件》

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《有机层上Ti/Al/Ti干法刻蚀中Al腐蚀问题研究》

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实验采用成都京东方光电科技有限责任公司的6代线制备样品，其中Ti/Al/Ti干法刻蚀工艺采用P-ICP(Planar-Inductively C o u p l e d P l a s m a）干法刻蚀机进行工艺，玻璃基板采用的是1500mm×1850mm，进行Ti/Al/Ti干法刻蚀时，保持源功率、偏压功率、压力、温度、刻蚀时间、气体流量固定的前提下，通过分别改变后处理时间（样品1-1、1-2、1-3、1-4）/光阻线宽大小（样品2-1、2-2、2-3、2-4）/光阻厚度（样品3-1、3-2）等变量，确认对SD2 Al腐蚀的影响，统计结果为3张玻璃基板统计的平均值，对照组工艺条件是后处理时间60s，光阻线宽2.0μm，光阻厚度1.5μm。对照组SD2(Ti/Al/Ti）光阻线宽/光阻厚度/后处理时间同SD1(Ti/Al/Ti）相同。本实验样品均采用同批次相同掩膜板进行的曝光工艺，当其中一个变量变化时，其它条件保持不变。刻蚀完成将光阻玻璃后通过自动光学检验机（AOI，Automated Optical Inspection）确认腐蚀的点位数，在SD2后平坦层涂布时用内联宏观检查机（Inline Macro）确认平坦层脱落发生Panel的数量（每张玻璃基板上Panel数量200ea）。