《表1 不同刻蚀温度下制备的SINWs在300～1 100 nm波段平均反射率》
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图3所示为不同刻蚀温度下制备的SINWs在300～1 100 nm波长范围内的反射率图。由图3可见，在一定波段范围内具有SINWs阵列的硅表面的反射率远远低于光滑的抛光硅表面，且反射率变化由高到低，对应的刻蚀温度依次为60℃、80℃、40℃、25℃。由表1可知，25℃、40℃、60℃以及80℃下刻蚀的SINWs平均反射率分别约为4.63%、7.88%、22.72%和12.47%。平均反射率如下所示:
| 图表编号 | XD00169894400 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.03.01 |
| 作者 | 赵诚、吴子华、谢华清、毛建辉、王元元、余思琦 |
| 绘制单位 | 上海第二工业大学环境与材料工程学院、上海第二工业大学环境与材料工程学院、上海第二工业大学环境与材料工程学院、上海第二工业大学环境与材料工程学院、上海第二工业大学环境与材料工程学院、上海第二工业大学环境与材料工程学院 |
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