《表3 AZO薄膜在380～780 nm区域的平均透射率、平均反射率和Eg》

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《Ar流量对磁控溅射制备Al掺杂ZnO薄膜的影响》

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为了考察薄膜的光学性能，图4给出了薄膜的透射率和反射率图谱，图5给出了禁带宽度Eg，具体数值如表3所列。由透射率T和厚度d计算得到薄膜吸收系数α=ln(1/T）/d，由波长λ计算得到光子能量hν=hc/λ=1 240/λ，用（αhν）2对hν拟合作图，将直接带隙半导体Zn O的线性区外推到横轴上的截距即为禁带宽度Eg。Ar流量为28～94 m L/min时，薄膜均在300～400 nm紫外光区域出现光吸收截止边，由此拟合得到的禁带宽度均为3.82～3.85 e V。在780～2 400 nm的近红外区域，随着Ar流量下降，透射率下降，反射率上升，可能与薄膜中载流子浓度和迁移率的提高有关[1，3]。380～780 nm可见光区域的平均透射率和反射率如表3所列，Ar流量为28 mL/min时，透射率为79.6%，反射率为13.9%；随着Ar流量增大，透射率和反射率分别降低至78.5%和13.1%。透射率尽管降低但损失不大，表明在薄膜电阻率得到优化的同时，仍可保持光学性能不退化。