《表1 SiO2刻蚀工艺参数》

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《应用于有源芯片三维集成的小孔径高深宽比TSV刻蚀工艺》

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在兼顾SiO2刻蚀速率、刻蚀选择比和刻蚀角度的条件下，选择表1中的工艺参数完成晶圆表面约10μm厚SiO2的微孔刻蚀。根据刻蚀结果，SiO2的刻蚀速率为0.612μm/min，刻蚀选择比为2.122，刻蚀角度为80.573°。图3是通过日立SU3500扫描电子显微镜（SEM）拍摄的此刻蚀工艺条件下的SiO2刻蚀形貌。从图中可以看出，光刻胶表面未发生碳化等异常现象，SiO2的刻蚀剖面倾斜，上开口尺寸为13.6μm，下开口尺寸为10.6μm，符合一般有源芯片上TSV开口尺寸≤10μm的要求，光刻胶剩余量足够，能够完成后续TSV的刻蚀。