《表1 ICP和RF功率对刻蚀速率的影响》

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《InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究》

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射频源ICP功率设定为100～400 W，RF功率设定为60～150 W，其它实验条件为腔体压力5.0m Torr，Cl2流量为10 sccm，N2气流量为70 sccm。从表1可知，随着ICP功率增加，刻蚀速率也相应增加。在电场作用下，刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体，射频源功率决定等离子体的电离率，从而影响等离子体的密度。但在本实验研究范围内，刻蚀速率随ICP功率增加的幅度只有约100 nm/min，这可能是因为低气压的腔体内，随着功率增大，反应气体被电离的比率虽有提高但变化幅度有限。另外，刻蚀速率与RF功率的变化关系不明显，这归因于在本实验研究范围内，决定刻蚀结果的主要因素是反应气体组成和温度，甚至是射频源ICP功率。