《表1 ICP刻蚀的参数设置》
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先对通孔的AAO掩模进行ICP刻蚀以调控孔径，再将AAO掩模转移至GaN片上，对GaN进行刻蚀从而将AAO的孔状结构完全转移至p-GaN层。两次刻蚀的参数见表1。
| 图表编号 | XD00173619600 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.05.01 |
| 作者 | 郑雪、江睿、李谦、王伟哲、徐智谋、彭静 |
| 绘制单位 | 华中科技大学光学与电子信息学院、华中科技大学光学与电子信息学院、华中科技大学光学与电子信息学院、华中科技大学光学与电子信息学院、华中科技大学光学与电子信息学院、武汉科技大学理学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
