《表1 AZ4620光刻胶刻蚀参数》

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式中:Ef为被刻蚀材料的刻蚀速率；Er为掩模材料的刻蚀速率[11]。根据以上要求，本方案选择AZ4620正性光刻胶作为刻蚀掩模。经过实验得到AZ4620光刻胶刻蚀数据如表1所示，晶圆中心区域选择比为35∶1，可以满足深孔刻蚀的需要。