《表1 光刻胶的光刻工艺Tab.1 Photolithohraphic process of the phltoresist》

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《我国正性光刻胶的制备与应用研究进展》

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谢文等[7]合成了N-（p-羧基苯基）甲基丙烯酰胺单体，并将其与N-苯基马来酰亚胺共聚得到共聚物聚N-（p-羧基苯基）甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺[poly（NCMA-co-NPMI）]，将此共聚物作为成膜树脂，与感光剂、溶剂等复配得到一种新型耐高温紫外正型光刻胶，最佳配方为:成膜树脂15%～20%，感光剂4.5%～6%、溶剂70%～80%；最佳光刻工艺为:匀胶30 s（4000 r/min），前烘4 min（90℃），感度为230～35 mJ/cm，在0.2%四甲基氢氧化铵（TMAH）溶液显影10 s和后烘2 min（90℃）。表1为光刻胶的光刻工艺。