《表3 测试条件：ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善》

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《ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善》

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为解决ICP设备进行光刻胶灰化工艺产生的膜层残留问题，采用压力升高、偏压射频功率降低和O2比例降低组合条件进行测试，设计如表3所示7、8、9三组优化条件进行测试，结果均无膜层残留发生，结合表2的测试结果可以得出改善膜层残留的条件:压力≥2.66Pa，源极功率∶偏压功率≥3∶1，qv（SF6）∶qv（O2）≥1∶60。