《表2 测试条件：ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善》

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《ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善》

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实验中采用的是G8.5ICP设备，由东京电子（TEL）制造，玻璃基板尺寸为2200 mm×2500mm，基板厚度为0.5mm。为改善ICP设备进行光刻胶灰化工艺产生的膜层残留，设计了6组实验，分别从压力、射频功率和气体比例3个方面对光刻胶灰化工艺进行测试，和目前正在使用主要条件进行对比，测试条件如表2所示。测试方法:完成一次金属刻蚀和有源层刻蚀的基板，分别按测试条件完成光刻胶灰化工艺，然后依次进行二次金属刻蚀、n+刻蚀和光刻胶剥离，完成后测试PI观察源漏电极层线边缘、沟道和像素区有无膜层残留发生。图4为源漏电极层线边缘膜层残留等级划分，图4（a）无残留，图4（b）～（f）膜层残留等级依次加重:Lv1～Lv5，膜层残留位置已使用白色线条标出。