《表1 机械研磨工艺条件Tab.1 Process conditions of the mechanical lapping》

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《GaN单晶片的表面加工工艺研究》

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GaN晶片的机械研磨在一台带修面研磨机（深圳方达仪器有限公司）上完成。机械研磨分别采用两种方法实现:第一种方法，先使用平均粒径为10μm的氮化硼磨料在铸铁盘上对晶片进行粗磨，然后用平均粒径为3μm的金刚石磨料在抛光布上进行精磨；第二种方法，先使用平均粒径为6μm的金刚石磨料在树脂铜盘上对晶片进行粗磨，然后采用平均粒径为1μm的金刚石磨料在树脂锡盘上进行精磨，具体的加工参数如表1所示。