《表1 光刻条件及PR面补偿量》

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《TFT光刻平面倾斜对光刻图形的影响及改善》

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为验证上述计算结果对光刻机在最小分辨率条件下的光刻图形质量改善情况，实验分别选取外围区域（fanout区域）线间距为2.2μm（D=1.1μm）的某型号正常产品与线间距为1.6μm（D=0.8μm）的单层光刻产品，进行源漏极（source drain layer，SD）层光刻，使用相移掩膜版（phase shift mask，PSM，其中线间距为1.6μm的PSM mask为test mask，仅用于测试），光刻机型号为Canon E732光刻机系列投影光刻机（分辨率≥3.0μm，焦深DOF=±20μm，使用i、g、h紫外光线，波长(λ）约0.4μm，光刻条件及PR面补偿量相关参数见表1。