《表2 实验五刻蚀前后胶厚》
提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
结果：产生稳定的辉光现象，硅片上的光刻胶厚度变化值见表2，该过程中也没有出现片子被刻凸的情况。
| 图表编号 | XD00169159500 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2020.07.06 |
| 作者 | 陈海军、魏宏杰 |
| 绘制单位 | 株洲中车时代半导体有限公司、株洲中车时代半导体有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
相关图表
- 《表1 改造前后刻蚀量变化及稳定性》2020.10.25
- 《表2 五夸克态的性质：五夸克态的实验发现》2020.09.30
- 《表2 实验结果统计：半导体工艺中二氧化硅的刻蚀速率研究》2020.12.01
- 《表1 刻蚀前后铜网表面的Cu和O元素含量》2020.11.15
- 《表2 磷酸刻蚀前后催化剂酸性变化》2019.12.25
- 《表1 预刻蚀实验参数Tab.1 Parameters of the pre-etching experiment》2018.03.03
- 《表2 ICP刻蚀不同时长时的孔径与刻蚀速率统计表》2020.05.01
- 《表1 实验二刻蚀前后胶厚》2020.07.06
- 《表8 刻蚀前后玻璃的桥氧、非桥氧相对原子含量》2020.05.20
- 《表2 TSV刻蚀工艺参数》2020.09.15
- 《表2 干法刻蚀工艺优化》2020.03.01
- 《表2 离子刻蚀清洗工艺参数》2020.02.20
- 《表2 全国软式棒垒球实验基地与实验学校（时效五年）数量统计》2019.09.01
- 《表2 晋江市第五实验小学(江浦分校)项目主要经济技术指标》2019.09.10
- 《表1 气体和水的参数：岩石气水两相渗流的玻璃刻蚀驱替实验与有限元数值模拟对比》2019.08.01
- 《表4 ICP刻蚀的实验参数》2019.07.01
- 《表1 实验分组情况：DPRM工艺中刻蚀工艺关键参数对N/P型MOS管交界处的影响》2019.02.01
- 《表2 DOE实验设计：六西格玛在提高TO-252胶厚合格率中的应用》2018.12.20
- 《表2〈100〉晶向Si片在40%KOH刻蚀液中的刻蚀速率 (90℃)》2018.07.20
- 《表2 不同刻蚀时间下刻蚀深度的变化》2020.01.15