《表1 预刻蚀实验参数Tab.1 Parameters of the pre-etching experiment》

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《基于三氯硅烷的高质量4H-SiC多片外延生长》

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本实验采用多片外延设备进行Si C外延生长，使用沿方向偏晶向4°的4英寸4H-Si C商用衬底。所有样品n型掺杂源为高纯氮气，n型掺杂设定浓度为7×1015cm-3。如表1所示，温度（T）升高至1 550℃时对衬底进行原位刻蚀处理，刻蚀气体为HCl气体。随后进行Si C耐压层生长，厚度为11μm。衬底原位刻蚀过程中，分别研究HCl气体体积流量（QV，HCl）和刻蚀时间（t）对外延材料三角形缺陷的影响。Si C耐压层的生长，使用TCS作为硅源，丙烷作为碳源。系统研究载气气流和C/Si比对外延材料厚度和掺杂浓度不均匀性的影响。使用光学显微镜和表面缺陷分析仪对外延材料表面三角形缺陷进行表征测试和统计。使用傅里叶红外测试仪（FTIR）表征外延材料厚度，采用汞探针C-V表征外延材料掺杂浓度，使用原子力探针显微镜（AFM）对外延材料表面粗糙度进行测试。