《表3 实验获得最佳退火参数Tab.3 The optimum annealing parameters of the experiment》

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《退火条件对SiC欧姆接触的影响》


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综合上述一系列实验的结果讨论，以及具体的工艺情况，选取如表3的参数制备n型4H-SiC的欧姆接触。

图表编号XD0021736500    严禁用于非法目的
绘制时间2018.06.25
作者韩兴宇、石云波、孙亚楠
绘制单位中北大学电子测试技术重点实验室、中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室、中北大学电子测试技术重点实验室、中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室、中北大学电子测试技术重点实验室、中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
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