《表4 测试结果Tab.4 The measurement results》

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《退火条件对SiC欧姆接触的影响》

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应用半导体分析仪，在Kelvin模型测试方法（图4）中接触孔a、d上施加电流I，再测量b、c间电压Vbc。表现为肖特基整流特性的I-V曲线如图6所示。表现为欧姆接触时测得的数据如表4所示，由此数据用ORIGIN软件进行的I-V特性曲线拟合，如图7所示，得到的拟合直线为V=0.7706I+0.3517，因此，接触电阻为0.770 6Ω，接触孔面积为40μm×40μm，故比接触电阻率为1.2×10-5Ω·cm2。