《表2 不同时间退火情况对比Tab.2 Comparison of annealing conditions at different times》

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《退火条件对SiC欧姆接触的影响》

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在确定退火温度对金属-半导体接触的影响后，进行不同时间的退火实验，用来讨论退火时间的长短对Ni/SiC接触效果产生的影响。通过观察表2中的数据发现，即使延长了退火时间，对欧姆接触的效果影响不大。但是退火时间不够的情况下，即使温度达到形成欧姆接触的条件，Ni/SiC接触呈现的仍会是肖特基接触。