《表2 芯层刻蚀工艺参数Tab.2 Process parameters for etching core layer》

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《原位生长包/芯/包层界面的氧化硅基阵列波导光栅》

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采用SI 500电感耦合等离子刻蚀机进行干法刻蚀，表2给出了刻蚀工艺参数，两个对照组采用相同的工艺参数，但刻蚀时间（tetch）分别为28 min和34 min。表中:PRF为射频功率；qV，CHF3为CHF3体积流量；qV，O2为O2体积流量；vetch为刻蚀速率。