《表1 硅纳米锥结构刻蚀工艺参数Tab.1 Etching processing parameters for fabricating silicon nanocone structure》

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《介电层表面纳米织构化及其电润湿行为影响研究》

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首先，将4寸硅片放置到95℃Piranha溶液（体积比）煮30min，用去离子水清洗后，在150℃加热台上烘干.然后，采用蒸发自组装方法在硅基材表面制备单层纳米粒子薄膜结构及网格线条阵列结构[16，24].另外，采用英国牛津仪器公司生产的干法刻蚀机（PlasmaLab System100）制备硅纳米织构.为了获得亚微米特征尺度的硅纳米锥结构，采用SF6和C4F8混合气体按一定的流量率形成等离子体对基材表面进行刻蚀.其中，C4F8用于钝化，而SF6用于刻蚀，能够实现具有一定各向同性刻蚀效果的结构，如纳米锥结构.硅纳米锥结构刻蚀制备机理如图3所示，所采用的刻蚀参数如表1所示.