《表2 不同工艺参数制备所得Cu膜的结构参数Tab.2 Microstructures for Cu films sputtered at different process parameters》下

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《磁控溅射法制备纳米铜膜及其电学性能研究》

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图3为不同工艺参数制备所得Cu膜的XRD谱。匹配PDF卡片（04-0836），所有样品均存在43°和50°这两个明显的衍射峰，这两个峰分别对应于金属铜的（111）和（200）特征衍射峰。所有样品晶体结构为面心立方结构，且结晶现象明显，择优取向显著，均沿（111）方向择优生长。不同镀膜条件下的样品之间择优生长方向一致，表明本实验温度、功率、压力和时间对成膜择优取向无显著影响。根据Scherrer公式（K=0.9，B为半峰高宽）可以计算出平均晶粒尺寸D的大小，晶面常数（h，l，k均代表米勒指数），面间距，见表2所列。从表2可看出不同镀膜条件下所制Cu膜晶粒尺寸差异不大，平均晶粒尺寸分布在30~50 nm。所制样品晶格常数与标准PDF晶格常数（0.36165 nm）相比大多稍小。