《表3 不同工艺参数制备所得Cu膜的电学性能Tab.3 Rs of Cu films sputtered at different process parameters》

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《磁控溅射法制备纳米铜膜及其电学性能研究》

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随着镀膜时间的增加，膜厚与之成线性关系增加，Cu膜的方块电阻显著下降，膜层均匀性有变好趋势。根据电阻率公式计算可得，在本实验选定的膜厚范围内，随着膜厚的增加，电阻率有减小趋势，趋于稳定在2.20×10-6Ω·cm-1左右，该数值与块体Cu（1.67×10-6Ω·cm-1）相当。在溅射镀膜初期，沉积到基材上的纳米Cu粒子首先形成不连续的岛状结构，颗粒大小分布不均匀，导致薄膜表面结晶状态较差，电子迁移率较低，膜层导电性能较差；延长沉积时间，后续靶材原子填充空隙，形成连续的薄膜，使镀层变得致密起来，从而薄膜结晶度有所提高，减弱了晶粒散射效应，使得电子迁移率增加，导电性增强；另外，随着沉积时间的延长，薄膜厚度增加，均匀性变好[19-21]。