《表2 不同氧化条件阳极氧化膜的电化学阻抗谱参数Table 2 EIS parameters for oxide films formed by hard anodization under diff
从表1可知,在硫酸质量浓度为180 g/L、电流密度为2.5 A/dm2、温度为-10°C的条件下阳极氧化60 min时所得氧化膜的腐蚀电位最正(-0.563 V),腐蚀电流密度最低(8.91×10-9 A/cm2),耐蚀性最佳。从图9可以看出,封孔后氧化膜有2个时间常数,其表现为Nyquist图上有2个半圆,Bode相图上有2组波峰和波谷。阻挡层特性体现在低频区,多孔层特性体现在高频区[18-19]。根据图10对图9进行拟合的结果见表2,其中Rel是电解液电阻(由于Rel远低于膜层电阻,通常忽略不计),CPEp和Rp分别是多孔层恒相位角电容和电阻,CPEb和Rb为阻挡层恒相位角电容和电阻,n是弥散指数(表征常相位角元件与纯电容偏离的程度)。由表2可知,在硫酸质量浓度为180 g/L、电流密度为2.5 A/dm2、温度为0°C的条件下阳极氧化80 min时,阻挡层电阻最大,耐蚀性应最佳,然而氧化时间过长易导致膜层起白霜且能耗较高,结合其他性能参数以及表1的结果,最终确定阳极氧化的最佳工艺条件为:硫酸质量浓度180 g/L,温度0°C,电流密度2.5 A/dm2,时间60 min。
图表编号 | XD0014493000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.02.15 |
作者 | 张丽、付国燕、陆江银、魏连启、崔彦斌 |
绘制单位 | 新疆大学化学化工学院石油天然气精细化工教育部重点实验室、中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室、新疆大学化学化工学院石油天然气精细化工教育部重点实验室、中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室、中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
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