《表2 磷化膜、氧化膜和磷化-氧化复合膜的模拟电化学阻抗谱参数》
虽然采用式(1)能够计算出整个膜层的电容,但却不能分析不同因素对电容和电阻的贡献。采用ZSimpWin软件进行模拟分析时还发现用图4a模拟所得结果与实测曲线相差甚远,应当考虑更多因素的影响,因此必须准确分析膜层中可能存在的各种电容和电阻。膜层中的电容包括电子电容、吸附及化学反应产生的电容,其中吸附产生的电容随吸附量变化而变化[4],而Warburg阻抗是最常考虑的。在尝试了多种等效电路后得到模拟结果与实测曲线最吻合的图4b,其中R1为溶液电阻,C1为表面电容,C2是膜反应电容,R2、R3为部分转化膜产生的电阻,R4为基体表面的反应电阻,Rw为Warburg阻抗,Q为膜电容。由于膜层疏松,并且一种反应不能阻止另一种反应,因此各元件是并联的。另外发现人为地将Warburg阻抗从大到小调整时,模拟所得曲线几乎不变,说明模拟结果不受Warburg阻抗的影响,由此进一步证实了扩散对该电化学过程没有影响。于是改用图4c的等效电路进行拟合,结果见图5和表2。
图表编号 | XD00148888500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.06.30 |
作者 | 陈治良、刘渝萍、瞿章林、杜彬、陈端杰 |
绘制单位 | 重庆长安工业(集团)有限责任公司工艺研究所、重庆大学化学化工学院、重庆长安工业(集团)有限责任公司工艺研究所、重庆长安工业(集团)有限责任公司工艺研究所、重庆长安工业(集团)有限责任公司工艺研究所 |
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