《表3 RIE刻蚀Nb条件Tab.3 Parameters of the Nb etching by RIE》
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第二步，对数天线和测试引线制备。光刻形成光刻胶掩膜，RIE刻蚀上下层Nb膜，具体条件如表3所示；离子铣（IE）刻蚀Al-Al Ox层，具体条件如表4所示。
| 图表编号 | XD0016300700 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.10.24 |
| 作者 | 王海萍、曹春海、刘奥谱、徐祖雨、孙国柱、陈健、许伟伟、吴培亨 |
| 绘制单位 | 南京大学超导电子研究所、南京大学超导电子研究所、南京大学超导电子研究所、南京大学超导电子研究所、南京大学超导电子研究所、南京大学超导电子研究所、南京大学超导电子研究所、南京大学超导电子研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
