《表2 样品设计要求：N型4H-SiC表面改性及性能研究》

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《N型4H-SiC表面改性及性能研究》

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SiC晶片置于150℃的干燥箱中烘烤10 min，取出来用去离子水洗涤干净，并在氮气环境下储存。按照上述方法选取最合适的温度和处理时间，用食人鱼溶液处理SiC晶片，测量它的水接触角，两面表面形貌图。引入反应官能团，在室温下以氮气为保护气氛，将芯片浸入2%的甲苯溶液中2 h，由于无水甲苯和丙醇都是易燃物质，实验应在通风橱中和密闭装置中进行。然后将样品取出用异丙醇洗涤数次，在氮气流下干燥，测其表面水滴接触角和表面形貌。在通风橱下，将SiC晶片在氮气保护下浸入含10μL的炔丙胺与1 mL无水甲苯的混合溶液中，在室温下搅拌4 h。最后，将SiC晶片用CH2Cl2洗涤数次，并用吹风机将晶片吹干，再测其接触角和表面形貌。