《表1 β-Ga2O3晶体生长方法比较[10-12]》

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《宽禁带半导体氧化镓晶体和器件研究进展》

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为比较不同晶体生长方法在β-Ga2O3晶体生长方面的适用性，作者课题组从晶体质量、晶体尺寸、电导率是否可控3个主要方面对目前已有的β-Ga2O3体块单晶生长方法进行了比较，如表1所示[10-12]。可以看出，提拉法（czochralski，CZ）、导模法（edge-defined film-fed growth，EFG）、布里奇曼法（vertical bridgeman，VB）可以生长获得高质量晶体；提拉法、导模法有望生长获得大尺寸β-Ga2O3晶体；化学气相传输法（chemical vapor transport，CVT）、焰熔法（verneuil）、光浮区法（optical floating-zone，OFZ）、导模法及布里奇曼法可以有效控制晶体电导率。综合上述3种因素，导模法是目前最有潜力的β-Ga2O3单晶生长方法，并且也是目前唯一实现β-Ga2O3商业化的晶体生长方法。