《表1 β-HMX晶体主要生长面》

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《模拟技术在军事实验中的应用——以TATB基高能顿感含能材料为例》

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常见的HMX晶体为β型，其各晶面的附着能、范德华力、静电力大小计算如表1所示，由该表可以看出在β-HMX晶体的（0 1 1）生长面上附着能最小，可知其为主要生长面，即在该面上最容易与其他分子形成氢键。