《表1 光学级单面生长石英晶体的杂质含量》
杂质含量:采用电感耦合等离子体原子发射光谱分析技术(ICP-AES)检测石英晶体中的杂质含量。表1是所制备出的不同批次的单面生长石英晶体的杂质含量。从表1中可以看到,制备出来的石英晶体的杂质含量很低,说明采用单面生长的石英晶体的纯度高,不同批次中杂质含量的区别主要与原料来源有关。
图表编号 | XD0039605500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.01 |
作者 | 刘盛浦、孙玉坤、郭兴忠、吴兰 |
绘制单位 | 浙江博达光电有限公司、浙江博达光电材料与器件研究院、浙江博达光电材料与器件研究院、浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院、浙江博达光电材料与器件研究院、浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院、浙江博达光电材料与器件研究院、浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院 |
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