《表1 不同工艺得到的SiC晶体中杂质浓度》

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《高纯半绝缘SiC电阻率影响因素》

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综合以上杂质控制研究，进行了两组实验，第一组是利用常规的工艺进行SiC单晶生长。第二组先使用高温真空排气，随后在工艺中通入体积分数1%的HCl和体积分数10%的H2。两组实验得到的晶体使用SIMS进行杂质浓度测试，SIMS对B、Al、V、Ti和N五种杂质浓度的检测下限分别为1.00×1014、1.00×1014、5.00×1013、5.00×1013和1.00×1016 cm-3，如表1所示，第二组的晶体中五种主要的杂质浓度均比第一组的要明显降低。