《表1 不同切割片样品中的杂质浓度》

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《SiC籽晶上生长AlN单晶的杂质组成及处理》

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根据AlN单晶的生长环境，只考虑最可能存在的3种杂质元素Si、C和O的影响。图4为切割片S3样品中杂质元素的二次离子质谱（SIMS）图。从图4可以看到，Si、C、O杂质浓度先随样品测试深度（2μm）指数下降，之后保持恒定，恒定后的浓度列于表1（S1和S2样品的图谱与S3样品的趋势一致）。由表1可见，S3切割片样品中的C浓度最高，约为2.76×1020/cm3，Si和O的浓度较低且数值接近，在1019/cm3量级。