《表2 非故意掺杂的杂质浓度测试样品取样位置》

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《InP晶体中Fe、B、Cu和Zn的杂质分析》

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InP晶体制备完成后，通过纵向切割获得晶体的纵向晶片。首先采用非接触式高阻测试仪对整个晶片电阻率进行测试，测试设备为SemiMap公司的COREMA-WT型测试仪；然后在径向和轴向上分别进行取样，取样位置如表1和表2所示，取样面积为10 mm×10 mm。表1样品采用ICP-MS测量分析晶体内轴向和径向上的Fe浓度，测试设备为Varian公司的725-ES型测试仪；表2样品采用GDMS测量分析晶体内非故意掺杂的全元素杂质浓度，测试设备为Nu公司的Astrum型测试仪。