《表1 基于SIMS测得的掺杂6H-SiC样品的浓度》

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《n型与半绝缘6H-SiC晶体的超快载流子动力学》

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实验使用的2片2inch（1inch=2.54cm）6H-SiC单晶片均由相同的制备方法获得，并均被双面抛光，它们具有相同的且极低的微管缺陷密度（小于5cm-2）。在制备过程中掺入不同的元素可以改变6H-SiC的导电类型与电导率。其中，n-6H-SiC晶片主要是由N掺杂实现，晶片的厚度为424μm，其电阻率低至0.05Ω·cm。而掺入V元素的SI-6H-SiC，厚度为350μm，测得其电阻率大于105Ω·cm，证明了其半绝缘的特性。为了比较不同6H-SiC中不同杂质的浓度，利用二次离子质谱（SIMS）方法，测得杂质浓度，见表1。由表1可知，2片6H-SiC晶体的杂质浓度及导电类型的本质区别在于N和V元素。