《表2 不同6H-SiC晶体TAS响应测量和拟合得到的光物理参数》

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《n型与半绝缘6H-SiC晶体的超快载流子动力学》

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式中:τn，σn，Nn分别表示响应能态下的载流子寿命、吸收截面和载流子浓度；n型和SI 6H-SiC晶片测得的载流子寿命和最大吸收截面σm见表2。6H-SiC的载流子吸收截面比宽带隙半导体GaN（GaN的吸收截面数据）大了一个量级以上[24]。n型和SI 6H-SiC均获得三个载流子寿命。如图5所示，紫外抽运光（3.4eV）最初激发产生的非平衡载流子位于导带Ec+0.5eV处，有效质量大于导带底部[25]。因此，在图5中观察到的约5ps吸收信号的建立时间反映了非平衡载流子弛豫到导带底部（M-能谷）的过程[图5中的过程（1）]。对应的最快时间常数τ1均为2～3ps，这与飞秒光谱脉冲激发载流子之后半导体中载流子-载流子热化和载流子-声子相互作用的时间响应一致[26-27]。