《表1 掺杂样品电阻率随掺杂浓度的变化情况》

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《静电纺丝法制备La~(3+)掺杂SnO_2中空纳米纤维及其红外发射率研究》

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室温下掺杂样品电阻率随掺杂浓度的变化情况如表1所示。由表可以看出，样品的电阻率随着掺杂浓度的增加而发生改变，在x=0.3mol%时电阻率达到最小值。La3+掺杂能降低二氧化锡电阻率的原因是:在高温下，镧元素的外层电子容易大量外泄。二氧化锡作为半导体材料，载流子主要是样品晶格中的自由电子，随着自由电子浓度的增加，SnO2的导电性增加[17]，电阻率降低；此外，在前面XRD的分析中，可以知道样品没有产生新的晶型，说明La3+是通过置换离子或填充间隙的方式进入到Sn O2晶格中。由于La3+的离子半径（0.118 nm）远远大于Sn4+（0.071 nm）的离子半径，并且两者的电价不相同，因此La3+在取代Sn4+时会使临近的氧原子脱离，导致大量氧空位[17]，进而会产生大量的自由电子，导致样品电阻率降低。