《表1 激光掺杂前后PERC电池方块电阻对比》

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《激光掺杂制作选择性发射极晶体硅PERC电池的工艺研究》

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方块电阻的大小直接反映了扩散入硅片内部的净杂质总量的多少。方块电阻越小，表示扩散入硅片的净杂质越多，反之则越小。在激光掺杂技术中，可以通过测试方块电阻来衡量激光掺杂的效果。首先，利用激光的高能量密度将衬底熔融。然后，杂质在高能量的激光热处理后被激活，在熔化的硅材料中液相扩散。最后，测试发射极的方块电阻以检测激光掺杂的效果。如表1所示，激光掺杂前PERC电池工艺的平均方块电阻为112Ω，通过激光掺杂后，方阻下降至88Ω，这是因为初始方块电阻值大的硅片在热扩散时，表面沉积的磷硅玻璃层薄，扩散后表面残留磷原子少。因此在进行激光掺杂时，从磷硅玻璃中扩散进入硅片表面的磷原子量少。