《表1 不同MgO掺杂量下ZnO线性陶瓷电阻晶界电阻与晶粒电阻值》

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《MgO掺杂对氧化锌线性陶瓷电阻的影响》

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ZnO线性陶瓷电阻的晶粒电阻值不随MgO掺杂量的变化发生显著变化，这与Mg2+在ZnO晶格中形成等价替位缺陷相吻合。但ZnO线性陶瓷电阻的晶界电阻值随MgO掺杂量的变化呈现先减少后增加的变化趋势，与其电阻率的变化趋势相同，进而证明晶界电阻在ZnO线性陶瓷电阻的电学性能中起主导作用。当MgO的掺杂量为5%（质量分数）时，样品中尖晶石含量较少，微观结构较好，电阻率最小。