《表3 掺杂不同含量氧化锑电阻片的电气性能参数》

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《掺杂氧化锑对氧化锌电阻片性能的影响》

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表3给出了掺杂不同含量氧化锑后电阻片电位梯度、泄漏电流。从图2中可以看到当氧化锑的含量为0～1.5 kg时，平均电位梯度由161 V/mm变为347 V/mm；当氧化锑的含量为1.5～4.5 kg时，平均电位梯度随着氧化锑的含量增大逐渐减小，由347 V/mm减小为145 V/mm；当氧化锑的含量为4.5～7.5 kg时，平均电位梯度逐渐上升，由145 V/mm变为219 V/mm，且当氧化锑的含量为6.0和7.5 kg时电位梯度并没有明显变化。随着氧化锑含量的增加，电阻片电位梯度表现为先上升再下降又上升的趋势。当氧化锑的含量低于1.5 kg时，氧化锑与氧化锌反应生成尖晶石，抑制氧化锌晶粒的长大，进而提高电位梯度；当氧化锑的含量高于1.5 kg，低于4.5 kg时，加速耗尽层中氧空位的形成，提高施主浓度，进而降低电位梯度[7-11]；当氧化锑的含量超过4.5 kg时，晶界处不导电相增多，与氧化锌接触面积减小，提高电位梯度。从图2中可以看到随着氧化锑含量的增加，泄漏电流整体表现为逐渐降低的趋势，这与尖晶石含量的增加相关，随着尖晶石含量的增加，加速Mn、Co等施主离子的固溶或置换速度，提高势垒高度，降低泄漏电流。