《表2 不同含量Bi2O3掺杂的ZnO压敏电阻电气性能参数》
可知,ZnO晶粒尺寸随着Bi2O3含量的增加而增大,但Bi2O3含量增加到2.1%时,晶粒尺寸呈现饱和趋势。这主要是因为由于Bi2O3含量的增加,烧结过程中晶界液相比例明显增加,大量液相传质的作用,导致ZnO晶粒更容易结合生长,最终导致ZnO晶粒尺寸明显增加。但当Bi2O3含量超过一定程度后,尖晶石在晶粒与晶粒间的三角区位置析出积聚,对晶粒尺寸几乎无抑制作用。各样品的电气性能参数,见表2。可知,随着Bi2O3含量的增加,非线性系数α逐渐增大,而电压梯度E1 mA下降到一定程度以后保持稳定,这一现象与晶粒尺寸增大的饱和现象结论一致。增加Bi2O3含量对抑制ZnO压敏电阻的泄漏电流IL具有较为明显的效果,当Bi2O3含量增加至2.1%时,其泄漏电流IL从19.69μA下降至最低的3.48μA。因此,ZnO压敏电阻配方中,选取较为优化的Bi2O3添加量为2.1%。
图表编号 | XD00148533800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.04.25 |
作者 | 曹伟、谷山强、万帅、谭进、孟鹏飞、赵洪峰 |
绘制单位 | 南瑞集团有限公司、电网雷击风险预防湖北省重点试验室(国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司)、南瑞集团有限公司、电网雷击风险预防湖北省重点试验室(国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司)、南瑞集团有限公司、电网雷击风险预防湖北省重点试验室(国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司)、南瑞集团有限公司、电网雷击风险预防湖北省重点试验室(国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司)、清华大学、新疆大学 |
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