《表1 Cu掺杂GaN/ZnO异质结不同点阵位置的结合能》

《表1 Cu掺杂GaN/ZnO异质结不同点阵位置的结合能》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《Cu掺杂GaN/ZnO异质结的光学性质》


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表1是Cu掺杂GaN/ZnO异质结的结合能,可以看出Cu掺杂在不同的位置处的结合能都为负值,因此结合都很稳定,但是位于界面附近的S1和S2两位置处的结合能分别为-2.12eV和-2.23eV,基体内的两点S3和S4结合能分别为-1.86eV和-1.95eV,Cu原子置换界面处的Ga和Zn结合能更小,因此更容易在界面处形成稳定结构。