《表1 Cu掺杂GaN/ZnO异质结不同点阵位置的结合能》
表1是Cu掺杂GaN/ZnO异质结的结合能,可以看出Cu掺杂在不同的位置处的结合能都为负值,因此结合都很稳定,但是位于界面附近的S1和S2两位置处的结合能分别为-2.12eV和-2.23eV,基体内的两点S3和S4结合能分别为-1.86eV和-1.95eV,Cu原子置换界面处的Ga和Zn结合能更小,因此更容易在界面处形成稳定结构。
图表编号 | XD00154090300 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.05.15 |
作者 | 董明慧、赵莲、王梦霞 |
绘制单位 | 齐鲁理工学院、齐鲁理工学院、天津理工大学功能晶体研究院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |