《表1 ZnO掺杂量为0.20wt%时，不同Nd2O3掺杂量BTZ陶瓷的各项性能参数》

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《高匹配ZnO及Nd_2O_3共掺杂Ba(Ti_(0.86)Zr_(0.14))O_3陶瓷的制备及性能表征》

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图6为不同量Nd2O3掺杂的BTZ陶瓷的介电常数随温度的变化曲线。如图所示，陶瓷的介电常数相比单独掺杂ZnO时有了显著地提高，且随Nd2O3掺杂量的增加呈先增大后减小的趋势，在Nd2O3掺杂量为0.35%时达到峰值。陶瓷介电常数的变化，一方面与晶粒的内应力和铁电畴有关：由于Ba2+被Nd3+取代，致使晶粒内部的晶胞参数发生了改变，内应力增加，陶瓷的介电常数增加；另一方面来源于晶格中的钛空位的快速迁移：为了补偿Ba2+被Nd3+不等价取代所产生的正电荷，晶格中会产生钛空位，钛空位的迁移速率较快，也会使陶瓷的介电常数升高。但是，随着陶瓷晶粒持续增大，一部分内应力被晶粒周围增多的90°电畴所抵消，从而导致大晶粒陶瓷的介电常数减小[15]。此外，随着Nd2O3掺杂量的增加，陶瓷的居里温度向低温方向移动。这是由于离子半径较大的Ba2+被离子半径较小的Nd3+所取代后，A位离子与氧八面体间隙结合更加紧密所致。介电性能的变化进一步说明了在ZnO存在的条件下，Nd3+倾向于占据Ba位而不是Ti位。表1列出了该陶瓷体系的各项性能参数。