《表1 室温下CCTO陶瓷掺杂不同元素后的介电性能、制备方法与测量仪器》

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《CaCu_3Ti_4O_(12)介电陶瓷击穿场强的研究进展》

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注：表1中“—”表示数据未知，“at”表示原子比，“wt”表示质量比，“La-Ca”表示La掺杂在Ca位，“Eu2O3”表示化合物掺杂。

在La、Bi、Al、Cr、Sr元素掺杂以及Eu2O3、Al2O3、Y2/3Cu3Ti4O12等化合物掺杂中，Sr元素掺杂的方法对提高CCTO陶瓷击穿场强的效果最明显。目前，很多研究者已经进行了许多通过Sr元素掺杂改善CCTO陶瓷性能的研究。TANG Zhuang等[31]采用固相反应法制备Sr元素掺杂的CCTO陶瓷，发现Ca0.6Sr0.4Cu3Ti4O12陶瓷的击穿场强最高，达到24.52k V/cm。LI Tao等[32]采用溶胶凝胶法制备Sr元素掺杂的CCTO陶瓷，发现Ca0.6Sr0.4Cu3Ti4O12陶瓷的击穿场强从未掺杂CCTO陶瓷的0.71 k V/cm提高至3.07 k V/cm。S RHOUMA等[34]采用固相反应法制备Sr元素掺杂的CCTO陶瓷，发现Ca0.9Sr0.1Cu3Ti4O12陶瓷的击穿场强从未掺杂CCTO陶瓷的1.0 k V/cm降低至0.6 k V/cm。上述文献的详细数据总结于表1中。