《表2 不同烧结温度下BZT基陶瓷的介电性能参数》

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《烧结温度对Ho~(3+)掺杂BZT电容器瓷介电性能及微观形貌的影响》

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不同烧结温度下3wt.%Ho2O3掺杂BaZr0.1Ti0.9O3基陶瓷的介电常数变化率参数见表2。所有烧结温度下的BZT基陶瓷均符合电子工业协会制定的电容器Y5V标准。且随着烧结温度的提高，介电常数变化率数值范围更小，说明烧结温度有助于提高BaZr0.1Ti0.9O3基陶瓷的温度稳定性。