《表3 BNBT和BBNT陶瓷的介电性能和介电弛豫相关的参数》

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《A位离子改性对BaBi_4Ti_4O_(15)陶瓷电学性能的影响》

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本文中T>Tm时的弥散度可以由弛豫极化的静态ε′所控制的参数δA表示。由表3可以看出，Nd改性对εm与δA的影响相反，由于A位阳离子在极化过程中起着重要作用，所以通过A位改性可以显著改善材料的极化特性，而位于（Bi2O2）2+层的铋位会显著降低材料的极化特性。因此，采用Nd3+改性取代A位阳离子可以有效改善弛豫极化的静态ε′和弥散程度[31]，而在（Bi2O2）2+层中用Nd3+取代Bi 3+则会得到完全相反的结果。