《表2 BNBT和BBNT陶瓷洛伦兹公式拟合结果》

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《A位离子改性对BaBi_4Ti_4O_(15)陶瓷电学性能的影响》

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式中:TA（TA≠Tm）和εA分别为介电常数峰处的温度和介电常数ε′在T=TA处的外推值；δA为反应介电峰的弥散程度的参数。图7为BNBT和BBNT陶瓷在f为100kHz时，介电常数随温度变化曲线图。在相同的温度范围内高温和低温介电常数随温度的变化关系均可以通过洛伦兹公式进行拟合，其拟合结果见表2，BNBT和BBNT陶瓷不同的参数δA（T>Tm和TTm时，其极化过程主要由缺陷偶极子负责。在T>Tm的情况下，参数δA随着BNBT和BBNT陶瓷中Nd改性的增加而增加，表明通过引入Nd3+可以增强陶瓷的弥散程度，此外，随着Nd3+掺杂量的增加，参数δA的值逐渐增大，同时也反映出了不同取代位置和改性含量对BBT基陶瓷弥散程度的影响。