《表1 掺杂前后各体系的晶格参数、体积及能量》

《表1 掺杂前后各体系的晶格参数、体积及能量》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《N-Sn掺杂ZnO光学性质的第一性原理计算》


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由表1中的数据可知:掺杂体系的晶格常数与本征Zn O相比都有所增大,引起这一变化的原因可能是因为引入杂质N、Sn的原子半径都比所替代的O、Zn的原子半径要大,N、Sn代替O、Zn后在内部拉伸晶格,导致掺杂体系发生晶格畸变,引起掺杂体系体积发生变化.比较这三种掺杂体系,N掺杂体系形成能最高,体系越不容易掺杂,N-Sn共掺Zn O体系的形成能最低,体系越容易掺杂.