《表1 掺杂前后晶格常数与晶胞体积》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《"双稀土元素Ce,Nd共掺杂SnO_2电性能的第一性原理研究"》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

表1是本征Sn O2和掺杂后的Sn O2体系在几何优化后的晶格常数和晶胞体积参数。其中纯Sn O2的晶格常数与文献[16]中的试验测量值基本一致，可以验证本研究仿真计算的正确性。从数据可以看出，在掺杂稀土元素后。晶格常数和晶胞体积都有所增大，这是因为Ce和Nd元素的原子半径均比Sn元素大（Sn的原子半径为0.158 nm，Ce的原子半径为0.182 nm，Nd的原子半径为0.182 nm），而Ce元素的原子半径又比Nd元素稍大，故Ce元素掺杂后晶格常数和晶胞体积最大，两元素共掺杂Sn O2介于Ce元素单掺和Nd元素单掺之间。当有稀土元素掺杂进入Sn O2晶胞后，会对周围的O元素产生影响，并且O元素的键长发生改变，进而改变了原本Sn O2晶胞中原子的排列规则，使晶胞发生局部畸变。