《表1 Ba/Pb掺杂与球磨时间对BCSO晶格常数的影响》

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《Ba-Pb双掺杂与晶粒细化的协同调整对BiCuSeO半导体陶瓷热电性能的影响》

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图1所示为不同球磨时间下制备的Bi1-xBaxPbx CuSeO（x=0，0.06）半导体陶瓷的XRD谱。通过精修XRD数据计算得到表1中的晶格常数。由图可见，球磨5 h的Bi1-xBaxPbxCuSeO（x=0，0.06），衍射峰与Bi CuSeO标准卡片（JCPD No.45-0296）一致，没有检测到其它相。但随球磨时间延长，Bi0.94Ba0.06Pb0.06CuSeO中检测到少量CuSe相。从表1看出，与未掺杂的BCSO相比，Ba/Pb掺杂后，晶格常数a和c略有增加，晶格发生膨胀，但随球磨时间延长而减小。根据VEGARD定律，Ba/Pb掺杂导致BCSO的晶格膨胀是由于Ba2+和Pb2+的半径（分别为0.134和0.129 nm）比Bi3+的半径（0.096 nm）大所致。因为球磨过程中剧烈的塑性变形而产生晶格畸变，所以晶格常数随球磨时间延长而减小。此外，随球磨时间延长，衍射峰变宽，表明晶粒尺寸逐渐减小。